7月2日，英飞凌科技股份公司宣布，正式启用其位于德国德累斯顿的智能功率晶圆厂（Smart Power Fab，以下同），较原计划提前数月投产。该项目总投资达50亿欧元（约合人民币388亿元），是英飞凌历史上规模最大的单...
自河南省人民政府网站获悉，6月26日，郑州高新区与中科粉研（河南）超硬材料有限公司签署协议，中科粉研第四代半导体材料生产基地正式落户该区，该基地是国内首个第四代半导体材料全产业链项目。根据介绍，此次基...
6月24日，SK海力士发布公告，确定于7月10日在纳斯达克上市美国存托凭证（ADR），计划最高募资规模为45.45万亿韩元。美银证券、花旗集团、高盛和摩根大通将担任此次发行的牵头承销商。所筹资金将用于龙仁半导体一...
近日，据报道，英特尔已经与中国台湾第二晶圆代工厂联电达成新的合作，联手开发先进制程3nm芯片。双方将共同开发3nm工艺，目标是打造性能对标台积电3nm节点的制程技术。同时，双方也在推进12nm FinFET工艺平台的...
6月16日，英伟达发布博文，宣布其战略投资的Coherent在美国得州Sherman为扩建工厂奠基，聚焦6英寸磷化铟（InP）晶圆与光互连产能，支撑AI数据在机架间以光速传输。Coherent同步宣布获得5000万美元CHIPS法案补贴，...
据中科院官网获悉，最新一期《科学》杂志报道，日本东京大学领导的研究团队利用氮化硼（BN）纳米管作为“模板”，成功制备出直径仅1纳米、约为人类发丝十万分之一的单壁二硫化钼（MoS2）半导体纳米管。这是迄今全球...
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