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      动态 | 中电科二所碳化硅芯片研制成功

      发布时间:2022-03-04发布人:

      动态 | 中电科二所碳化硅芯片研制成功

      碳化硅芯观察 2022-02-25 18:22


      2月25日下午,中国电子科技集团第二研究所对外宣布:山西省第一片碳化硅芯片研制成功。


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      2021年9月,中国电科二所承担山西太原某实验室6英寸SiC芯片整线系统集成项目,该项目要求四个月内完成整线设备评估、选型、采购、安装、调试,并流出第一片芯片。


      时间紧,任务重!二所凭借自身行业影响力和资源调配能力,在一个月之内完成所需全部设备技术评估与选型,所有商务流程合规操作;设备移入阶段正赶上国庆假期又恰逢太原市连日降雨、气温骤降,为了不耽误项目进度,项目团队放弃休息,在保证人员及设备安全的前提下连夜冒雨作业,每天夜晚卸货、搬运、拆包,白天安装就位,连续奋战,一个月之内完成设备移入。

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      为按时间节点完成流片任务,项目团队苦干巧干拼命干,坚定信心高质量打赢项目攻坚战,各工艺段负责人平均每天工作16个小时,各设备负责人轮流坚守岗位,以踔厉奋发、笃行不怠的精神,为生产保驾护航。最终于水、电、气等配套条件完成后30日内,完成单机设备调试、碳化硅SBD整线工艺调试并成功产出山西省第一片碳化硅芯片,研制速度创造了国内第一!


      碳化硅具备高禁带宽度、高热导率、高击穿场强、高电子饱和漂移速率等优点,可有效突破传统硅基材料的物理极限,广泛应用于新能源汽车及其充电桩、大数据中心、轨道牵引、高压电网、新能源逆变等领域,成为我国重点发展的战略性先进半导体,对实现碳达峰碳中和具有重要的战略意义。


      这款碳化硅芯片是落实山西省“十四五”规划将半导体产业打造成新支柱产业取得的阶段性重大成果,是太原市向半导体领域转型发展道路上的一个里程碑。行百里者半九十,接下来的任务还很艰巨,需进一步优化设计和工艺流程,研制系列化碳化硅SBD芯片和碳化硅MOSFET芯片,提升性能指标、提高良品率,实现规模化生产。



      声明:本文版权归原作者所有,转发仅为更大范围传播,若有异议请联系我们修改或删除:zhangkai@cgbtek.com


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