是半导体制造领域核心的湿法清洗/蚀刻设备，专门针对半导体工艺中氮化、硅（SiNX）薄膜的选择性去除需求设计，凭借磷酸在高温下对氮化硅的高蚀刻速率、对二氧化硅（SiO₂）的极低蚀刻速率（高选择性），成为晶圆制造、先进封装等环节不可或缺的关键设备。

✨全自动运行：全自动机械手搬运工件，槽内工艺流程自动运行，工艺期间不需要人员参与。

✨酸槽清洗：使用化学液配合循环过滤系统对晶圆表面进行清洗处理。

✨水槽清洗：配有快速注水（1分钟之内注满槽）、慢速溢流（2-10L/Min带走槽内污染物）、高压喷淋（0.3-1.2MPa 压力可调）、底部鼓氮（10-100L/Min 流量可调）、急速排放（10秒内排空）等多重功能于一身，满足不同工件的工艺要求。

✨浓度动态稳定：实时监测磷酸浓度，通过自动补加浓磷酸或DIW，避免因化学液挥发、反应消耗导致的浓度误差，保证蚀刻速率稳定；

✨干燥功能：采用 marangoni 干燥方式进行干燥。 配备计量桶和自动补加系统，支持24小时连续运行，减少停机维护时间。

✨工艺柔性化设计：可设备多组工艺配方，更改方便迅速。

✨多工艺兼容：可通过参数调整（温度 80-180℃、浓度 60%-85%）适配不同氮化硅厚度的蚀刻需求，同时兼容不同尺寸晶圆（8 英寸、12 英寸）。