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第四代半导体已出现丨氧化镓能否取代碳化硅?

发布时间:2023-12-27发布人:

随着数字化、智能化的时代到来,半导体行业的热度不断高涨。尤其是量子信息和人工智能等高科技领域的快速发展,推动了半导体以及多功能器件技术的快速更新和迭代。为适应高性能、低成本的要求,业界将目光投向了第四代半导体,而最受瞩目的莫过于氧化镓。


凭借着一系列优异的材料特性,氧化镓有望改变当前的复合半导体市场,让国内的芯片厂商实现弯道超车。但氧化镓材料仍面临着诸多挑战,本文就其优势、挑战和市场前景作了较为详尽的阐述。

出口管制下的半导体关键原料

中国于2023年8月1日起,对半导体原料的镓、锗实行严格的出口限制。业内对此意见不一,许多人将此举视为对荷兰 ASML公司加大光刻机出口限制的一种反应。然而,2022年8月美国在对中国的出口禁令中,也包括了一种高纯半导体材料——氧化镓。美国商业部的工业安全管理局(BIS)宣布对耐高温耐高压的四代半导体材料——氧化镓和金刚石,还有专为3nm及以下芯片设计而生的 ECAD软件,都纳入了出口管制范围。


当时并没有太多人注意到这一点,但一年之后,中国对镓进行了出口控制,这才引起了业界对第四代半导体关键原料的重视。在半导体行业中,镓和锗是一种重要的原材料,在第一代到第四代半导体中都有应用。在摩尔定律面临瓶颈的今天,具有更大禁带宽度的半导体材料如金刚石、氧化镓、AlN及BN等,其优异的物理性能有可能成为下一代信息技术的驱动力。


对于中国来说,半导体技术的发展已经到了一个非常重要的阶段,尤其是美国的各种制裁,更是让这一技术的突破发展变得极为关键。虽然面临着巨大的挑战,但只要我们能够在这场半导体技术革命中取得胜利,中国就有可能从“制造大国”变成“制造强国”,从而迎来一个世纪以来最大的变革。它既是中国科学技术实力的一次大检验,也是向世人展示中国应对世界科学技术挑战的一次好机会。

超越碳化硅,氧化镓的优势


氧化镓,这种第四代半导体材料,具备禁带宽度大(4.8 eV)、临界击穿场强高(8MV/cm)、导通特性好等优势。氧化镓有五种已确认的结晶形态,其中最稳定的是β-Ga2O3。其禁带宽度为4.8~4.9 eV,击穿场强高达8 MV/cm,而其导通电阻比SiC、GaN低得多,极大降低了器件的导通损耗。其特性参数巴利加优质(BFOM)高达3400,大约是SiC的10倍、GaN的4倍。


相比于碳化硅和氮化镓,氧化镓的生长过程可以使用常压下的液态熔体法,这使得其品质高、产量大且成本低。但 SiC、 GaN等材料因其特殊性质,目前仅能采用气相法制备,且需

保持较高的温度、较高的能耗。这意味着,在生产上,氧化镓会占据一定的成本优势,而国内的工厂也会迅速扩大产能。

与SiC相比, 氧化镓在各方面都优于SiC。特别是其较大的禁带宽度和较高的击穿场强,使得它在大功率和高频率应用中具有显著优势。

氧化镓的具体应用和市场潜力


氧化镓的发展前景日益凸显,该市场当前主要由日本的Novel Crystal Technology (NCT)和Flosfia两大巨头垄断。NCT自2012年开始投入氧化镓的研发,成功突破多项关键技术,包括2英寸氧化镓晶体与外延技术,以及氧化镓材料的量产等。其高效性与高性能受到了行业的广泛认可。其在2021年成功量产4英寸氧化镓晶圆,并已开始供应客户晶圆,为日本在第三代化合物半导体竞赛中再度保持领先。


据NCT预测,氧化镓晶圆的市场在未来十年将放量增长,到2030年度将扩大到约30.2亿元人民币规模。FLOSFIA预测,到2025年,氧化镓功率器件市场规模将开始超过氮化镓,2030年将达到15.42亿美元(约100亿元人民币),占碳化硅的40%,是氮化镓的1.56倍。根据富士经济的预测,到2030年,氧化镓功率元件市场规模将达到1,542亿日元(约92.76亿元人民币),将超过氮化镓功率元件的市场规模。这种趋势反映了氧化镓在功率电子设备中的重要性及其未来的潜力。


在一些特定应用领域,氧化镓有着巨大的优势。在功率电子领域,氧化镓功率器件与氮化镓、碳化硅有部分重合,军用领域主要应用于高功率电磁炮、坦克战斗机舰艇等电源控制系统以及抗辐照、耐高温宇航用电源等。民用领域则主要应用于电网、电力牵引、光伏、电动汽车、家用电器、医疗设备和消费类电子等领域。

新能源车市场也为氧化镓提供了巨大的应用场景。然而,国内在车规级功率器件方面一直很薄弱,目前尚无车规的SiC MOS IDM。虽然有几家在XFab代工的Fabless企业可以快速具备较为全面的SBD和MOS规格推向市场,销售和融资进展较为顺利,但是未来仍要自建FAB 形成IDM掌握产能、研发独有工艺,才能产生差异化的竞争优势。 


充电桩对成本非常敏感,这就为氧化镓提供了机会。如果能满足甚至超过性能需求的同时,以成本优势获得市场的认可,那么氧化镓在这个领域的应用就有很大的可能性。


在射频器件市场,氧化镓的市场容量可参考碳化硅外延氮化镓器件的市场。新能源汽车的核心是逆变器,对器件的规格要求非常高。目前,有意法半导体、日立、安森美、Rohm等企业能够量产供应车规级SiC MOSFET。预计到2026年,这一数字将增长至22.22亿美元(约150亿元人民币),表明氧化镓在射频器件市场具有广阔的应用前景和市场潜力。


电力电子领域的另一项重要应用是48V电池。随着锂电池的广泛使用,可以用更高的电压系统取代铅蓄电池12V电压系统,实现高效、减重、节能的目的。这些锂电池系统内将广泛采用48V电压,对于电子电力系统来说,需要的是高效率的48V→12V/5V转换。以二轮电动车市场为例,据2020年的资料显示,中国电动两轮车总体产量为4834万辆,同比增长27.2%,锂电渗透率超过16%。面对这样的市场,氧化镓、GaN和硅基SG-MOS器件等100V耐压大电流器件正在瞄准这个应用发力。


在工业领域,它有几大机会和优势,包括单极替换双极,更高的能效,易于大规模生产,以及可靠性的需求。这些特性使得氧化镓在未来的电力应用中可能扮演重要角色。长期来看,氧化镓的功率器件预计将在650V/1200V/1700V/3300V的市场中发挥作用,并预计在2025年至2030年将全面渗透车载和电气设备领域。短期来说,氧化镓的功率器件将首先在消费电子、家电以及高可靠、高性能的工业电源等领域出现。它的这些特性可能使其在硅(Si)、碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)等材料之间形成竞争。


笔者认为,未来几年氧化镓的竞争焦点将集中在400V平台的常规使用650V器件领域。这个领域的竞争将涉及到开关频率、能量损耗、芯片成本、系统成本、和可靠性等多个因素。然而,随着技术的进步,平台可能升级为800V,这将需要使用1200V或1700V器件,这已经是SiC和Ga2O3的优势领域。在这个竞争中,初创企业有机会通过与客户深入沟通,建立场景认知、车规体系和客户心智,为向车企客户逆变器应用奠定坚实基础。


总的来说,氧化镓在功率器件领域有很大的潜力,能够在多个领域与SiC、GaN等材料进行竞争,满足高效、低能耗、高频和高温等高性能应用的需求。但是,新材料在逆变器和充电器等应用上的渗透需要时间,需要不断进行面向特定应用的适合规格的开发,并逐步向市场推广。

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