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上海将建GaN单晶项目;4寸衬底将批量生产?

发布时间:2021-08-10发布人:

上海将建GaN单晶项目;4寸衬底将批量生产?

来源:第三代半导体风向


      今天,据上海媒体报道,当地将建4英寸GaN自支撑晶圆项目,技术团队来自中科院等机构和院校。4英寸GaN单晶衬底似乎要进入量产的节奏,据“三代半风向”不完全统计,国内已有3家企业攻克了4英寸技术瓶颈,而日本的住友和三菱也将在明年正式量产4英寸产品。


      上海新增GaN项目

      团队来自中科院?


       8月9日,《浦东时报》公示了《瀚镓GaN自支撑晶圆制造关键技术研发与产业化》项目的环评公示。


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       根据公示内容,上海瀚镓半导体科技有限公司将在上海市浦东新区建设“4英寸GaN高质量自支撑晶圆的研发及中试”。招聘信息显示,瀚镓半导体是一家成立于2020年8月的初创科技公司,由上海集成电路材料研究院支撑孵化,公司位于中国(上海)自由贸易试验区临港新片区。据介绍,瀚镓公司的技术核心团队成员来自中国科学院、加州劳伦斯伯克利国家实验室、加州大学伯克利分校等知名机构和院校,具有完全自主知识产权的核心专利技术。瀚镓主要专注于GaN晶体材料制造技术及相关设备、应用技术的开发,进行GaN自支撑晶圆制造关键技术中试研发与产业化。根据上海市经济和信息化委员会6月30日发布的公告,瀚镓入选了《临港新片区2021年第二批重点产业企业所得税优惠资格拟认定企业名单》。


     3家中企突破4英寸
     日本2企业明年量产


      根据《第三代半导体调研白皮书》,在GaN单晶衬底的研制开发方面,日本、中国、欧美处于世界前列,主要的供应商包括:中国的纳维、中镓、镓特,日本的住友、古河机械、三菱,以及美国的Kyma和法国的Lumilog等公司。在瀚镓之前,国内已有3家企业涉足GaN单晶领域,并且在4英寸产品方面有所突破。据《中国科学报》报道,苏州纳维在2017年率先推出4英寸GaN单晶衬底业,并且还突破了6英寸的关键核心技术。2021年1月24日,纳维举行总部大楼奠基仪式,以推进相关技术的进一步发展,项目建成后,GaN单晶衬底及外延片年产能达5万片。

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       2018年2月,东莞中稼半导体宣布,在国内首次试产4英寸自支撑GaN衬底,并预计同年年底实现常规量产。据介绍,中稼通过自主开发的HVPE设备,获得4英寸GaN单晶材料;同时克服了GaN衬底研磨抛光技术难点,建立了自有完整的GaN衬底研磨抛光生产线,从而成功实现4英寸自支撑GaN衬底的中试量产。


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       2020年3月,镓特半导体也宣布开发出4英寸掺碳半绝缘GaN晶圆片,并表示“镓特是第一家,也是唯一一家生产4英寸半绝缘氮化镓晶圆片的公司”。据介绍,镓特采用了碳掺杂法进行半绝缘氮化镓晶圆片的生长。SIMS数据显示,碳的含量大约在5E17 至3E18 /cm3之间。无意N型氧和硅的掺杂小于1E17 /cm3。室温下的电阻率远远大于1E9 ohm-cm。在4英寸产品量产化方面,日本走得也很快。6月17日,住友化学宣布将投入约5.86亿人民币,从2022年开始量产4英寸GaN单晶衬底。


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       此外,2022-2023年住友化学还将进一步扩展生产设备,以期在未来5年将GaN衬底营收提升3倍(目前营收约为5.86亿人民币)。而且,住友化学已经成功制作了6英寸的GaN衬底,并也在加快量产技术的建立。宣布量产4英寸产品的企业还包括三菱化学。5月18日,三菱化学和日本制铁所开始安装一条示范生产线,将在2022年4月开始供应4英寸GaN单晶衬底。


       据三菱化学透露,他们已开发出4英寸GaN单晶衬底,晶体缺陷仅为普通GaN衬底的大约1/100-1/1000,“几乎没有缺陷”,并且三菱化学也正在开发6英寸的产品。

 

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