第三代半导体即宽禁带半导体,以碳化硅和氮化镓为代表,具备高频、高效、高功率、耐高压、耐高温、抗辐射能力强等优越性能,切合节能减排、智能制造、信息安全等国家重大战略需求,是支撑新一代移动通信、新能源...
在半导体制造中,在处理基板或在基板上形成的薄膜的过程中,有一种称为“蚀刻”的技术。蚀刻技术的发展对实现英特尔创始人戈登·摩尔在1965年提出的“晶体管的集成密度将在1.5到2年内翻一番”的预测(俗称“摩尔定律”)...
半导体是电子信息产品的“心脏”,在国民经 济和社会生活各方面的应用越来越广泛,对国家经 济成长、国防安全、核心竞争力提升至关重要 , 促进了通信、计算、医养健康、军事系统、物流、 新能源行业的发展,...
一、WLP晶圆级封装VS传统封装在传统晶圆封装中,是将成品晶圆切割成单个芯片,然后再进行黏合封装。不同于传统封装工艺,晶圆级封装是在芯片还在晶圆上的时候就对芯片进行封装,保护层可以黏接在晶圆的顶部或底部...
IGBT芯片与芯片的电极端子间,IGBT芯片电极端子与二极管芯片间,芯片电极端子与绝缘衬板间一般通过引线键合技术进行电气连接。通过键合线使芯片间构成互连,形成回路。引线键合是IGBT功率器件内部实现电气互连的...
碳化硅单晶衬底材料(Silicon Carbide Single Crystal Substrate Materials,以下简称SiC衬底)也是晶体材料的一种,属于宽禁带半导体材料,具有耐高压、耐高温、高频、低损耗等优势,是制备大功率电力电子器件以...
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